Объем: 1; Форм-фактор: M.2; Интерфейс: PCI Express 4.0 x4 (NVMe); Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND; Скорость последовательного чтения: 7300; Скорость последовательной записи: 6000; Средняя скорость случайного чтения: 900 000 IOps; Средняя скорость случайной записи: 1 000 000 IOps; Энергопотребление (чтение/запись): 6.3; Энергопотребление (ожидание): 0.01; Время наработки на отказ (МТBF): 1800000; Толщина: 10.5; Контроллер: Phison PS5018-E18; Дата выхода на рынок: 2021; Радиатор охлаждения; Размеры М.2: 2280; Ресурс записи: 1000 TBW; Буфер обмена: 1024
Компания производитель: Kingston
Компания производитель: WD
Объем: 0.26; Форм-фактор: 2.5"; Интерфейс: SATA 3.0; Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND; Скорость последовательного чтения: 560; Скорость последовательной записи: 520; Средняя скорость случайной записи: 80 000 IOps; Время наработки на отказ (МТBF): 2000000; Толщина: 7; Контроллер: Silicon Motion SM2258; Дата выхода на рынок: 2016; Буфер обмена: 256
Компания производитель: A-Data
Объем: 1.6; Форм-фактор: 2.5"; Интерфейс: U.2 (NVMe 1.3); Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND; Аппаратное шифрование; Скорость последовательного чтения: 3200; Скорость последовательной записи: 2080; Средняя скорость случайного чтения: 643 000 IOps; Средняя скорость случайной записи: 199 000 IOps; Энергопотребление (чтение/запись): 14; Энергопотребление (ожидание): 5; Толщина: 15; Дата выхода на рынок: 2018
Компания производитель: Intel
Форм-фактор: 2.5"; Тип: HDD; Емкость: 4000; Скорость вращения: 5400; Объем буфера: 128
Компания производитель: Seagate
Форм-фактор: 3.5"; Тип: HDD; Скорость вращения: 7200; Объем буфера: 512; Интерфейс SAS: SAS 3.0; Время наработки на отказ: 2500000; Ударостойкость при хранении: 200; Ударостойкость при работе: 50; Уровень шума работы: 32; Потребляемая мощность: 8.46; Потребляемая мощность в спящем режиме: 4.74; Уровень шума простоя: 20; Высота: 26.1
Компания производитель: Toshiba
Объем: 6.4; Форм-фактор: 2.5"; Интерфейс: PCI Express 4.0 x4 (NVMe, U.2); Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND; Аппаратное шифрование; Скорость последовательного чтения: 7100; Скорость последовательной записи: 4200; Средняя скорость случайного чтения: 1 100 000 IOps; Средняя скорость случайной записи: 390 000 IOps; Энергопотребление (чтение/запись): 18; Энергопотребление (ожидание): 5; Время наработки на отказ (МТBF): 2000000; Толщина: 15
Компания производитель: Intel
Компания производитель: WD
Объем: 2; Форм-фактор: M.2; Интерфейс: PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3); Энергопотребление (чтение/запись): 2.3; Время наработки на отказ (МТBF): 1500000; Толщина: 2.3; Размеры М.2: 2280; Ресурс записи: 480 TBW
Компания производитель: Gigabyte
Объем: 15.36; Форм-фактор: 2.5"; Интерфейс: PCI Express 4.0 x4 (NVMe, U.2); Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND; Аппаратное шифрование; Время наработки на отказ (МТBF): 2000000; Толщина: 15
Компания производитель: Intel
Объем: 1 Тб; Форм-фактор: mSATA; Интерфейс: SATA 3.0; Тип микросхем Flash: MLC
Компания производитель: Netac
